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B1S-G详细

DIODE BRIDGE 100V 0.8A MBS

B1S-G厂商

Comchip Technology

B1S-G参数

包装:带卷 (TR),系列:-,电压 - 峰值反向(最大值):100V,电流 - DC 正向 (If):800mA,二极管类型:单相,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io),反向恢复时间 (trr):-,安装类型:表面贴装,封装/外壳:4-SMD,供应商器件封装:MBS

B1S-G相关型号

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